特許

J-GLOBAL ID：200903010336316848

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 瀧 哲也 ,  浅井 誠
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-037381
公開番号（公開出願番号）：特開2001-230447
出願日： 2000年02月16日
公開日（公表日）： 2001年08月24日
要約：

【要約】【目的】 基板とnコンタクト層との間の格子不整合を緩和し、III族窒化物系化合物半導体層の結晶性を向上する。【構成】 基板とnコンタクト層との間に、MOCVD法により1000°C〜1180°Cの成長温度でAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)からなる第1の半導体層をその格子定数を変化させながら成長させる。

請求項（抜粋）：

基板上にMOCVD法により1000°C〜1180°Cの成長温度でAlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦x+y≦1)からなる第1の半導体層をその格子定数を段階的及び/又は連続的に変化させながら成長させるステップを含む、ことを特徴とするIII族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

FI (3件)：

H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323

Fターム (36件)：

5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA88 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB40 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045DA58 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA29