半導体レーザ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-255018
公開番号（公開出願番号）：特開2004-095859
出願日： 2002年08月30日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

【課題】同一の半導体ウエハから異なる共振器長のレーザチップを生産することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体ウエハ10の上面に電極パターン3′を形成する電極パターン形成工程と、電極パターン3′が形成された半導体ウエハ10を所定ピッチで切断し、複数本の半導体バー11を得るウエハ切断工程と、得られた半導体バー11を所定のチップサイズに分割し、半導体レーザR1を得る半導体バー分割工程とを備える。前記電極パターン形成工程で形成される電極パターン3′を、少なくとも共振器長方向Aに連続させる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

半導体ウエハの上面に電極パターンを形成する電極パターン形成工程と、電極パターンが形成された半導体ウエハを所定ピッチで切断し、複数本の半導体バーを得るウエハ切断工程と、得られた半導体バーを所定のチップサイズに分割し、半導体レーザを得る半導体バー分割工程とを備えた半導体レーザの製造方法であって、前記電極パターン形成工程で形成される電極パターンを、少なくとも共振器長方向に連続させることを特徴とする半導体レーザの製造方法。

IPC (2件)：

H01S5/042 , H01S5/10

FI (2件)：

H01S5/042 612 , H01S5/10

Fターム (7件)：

5F073AA61 , 5F073AA62 , 5F073AA89 , 5F073BA06 , 5F073DA30 , 5F073DA32 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平4-044285
特開平4-044285
特開昭63-136687

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