特許

J-GLOBAL ID：200903010348037111

半導体装置、ダイシング刃および半導体装置の製造方法

発明者： 松田 隆幸
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-005845
公開番号（公開出願番号）：特開2007-189051
出願日： 2006年01月13日
公開日（公表日）： 2007年07月26日
要約：

【課題】パッド電極の腐食を抑制することができる半導体装置、ダイシング刃および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10の上に第1の層間絶縁膜11、第2の層間絶縁膜13が形成されている。第1の層間絶縁膜11内には第1のCu配線12が、第2の層間絶縁膜13には第2のCu配線14が形成されている。第2のCu配線14の上には、バリアメタル17を介して、パッド電極18が形成されている。パッド電極18はMgを含むAlCuからなる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 前記半導体基板の上に形成された絶縁膜と、 前記絶縁膜の上に形成された第1の金属を含む配線と、 前記配線と電気的に接続され、第2の金属及び前記第2の金属よりもイオン化傾向の高い元素を含む電極とを備え、 前記電極中における前記元素の含有量は、前記電極中における前記2の金属の含有量よりも少ない、半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/320 ,  H01L 23/52 ,  H01L 21/301

FI (4件)：

H01L21/88 N ,  H01L21/78 F ,  H01L21/88 T ,  H01L21/88 R

Fターム (19件)：

5F033HH09 ,  5F033HH10 ,  5F033HH11 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK11 ,  5F033LL02 ,  5F033MM02 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ10 ,  5F033RR06 ,  5F033VV00 ,  5F033VV07 ,  5F033XX18

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平03-235350号公報
  

審査官引用 (1件)

• 特開平2-021860