特許
J-GLOBAL ID：200903010355592236
単結晶シリコン上に化合物半導体のエピタキシヤル層を製造する方法及びそれにより製造された発光ダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中平 治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-128021
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321911
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：
【要約】【課題】 電子構成部分の製造のために十分な結晶品質を有する半導体層を製造することができる、InxAlyGa1-x-yN(0≦x,0≦y,x+y≦1)の構造のIII-Vタイプの窒化物化合物半導体からなるエピタキシャル層を製造する方法を提供する。【解決手段】 単結晶シリコンからなる基板上にInxAlyGa1-x-yN(0≦x,0≦y,x+y≦1)の構造のIII-Vタイプの窒化物化合物半導体のエピタキシャル層を製造する方法が記述される。方法は、次の方法ステップを有する。単結晶シリコンからなる基板(10)の表面に、区分状の構造を製造する。区分(15)においてシリコン表面が露出しており、かつ区分の縁は、マスク材料(20)によって囲まれている。シリコン表面ににおけるもっぱら区分における窒化物化合物半導体(30,40)のエピタキシャル成長によって、局所的な島が製造され、これらの島の縁において、格子誤整合によって発生される応力を解体することができる。最終的に区分内又はその上に、構成素子が製造される。
請求項（抜粋）：
単結晶シリコンからなる基板上にInxAlyGa1-x-yN(0≦x,0≦y,x+y≦1)の構造のIII-Vタイプの窒化物化合物半導体のエピタキシャル層を製造する方法において、・単結晶シリコンからなる基板(10)を準備し;・基板の表面に区分状の構造を製造し、その際、区分(15)においてシリコン表面が露出しており、かつ区分の縁が、マスク材料(20)によって囲まれており;・もっぱら区分においてシリコン表面に窒化物化合物半導体(30,40)のエピタキシャル成長が行なわれる、方法ステップを特徴とする、単結晶シリコン上に化合物半導体のエピタキシャル層を製造する方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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