特許

J-GLOBAL ID：200903010357116954

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 大橋 直史 ,  大和田 伸郎 ,  山口 日出
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-231036
公開番号（公開出願番号）：特開2001-057366
出願日： 1999年08月18日
公開日（公表日）： 2001年02月27日
要約：

【要約】【課題】 半導体集積回路装置の動作速度を向上すると同時に、信頼性の低下を防ぐことのできる技術を提供する。【解決手段】 レイアウトルールの最小線幅で加工され、短距離引き回し配線である第2層配線M2 および第3層配線M3 では、隣接配線間の絶縁に比誘電率が約3. 0以下の有機SOG膜6,13を用いることによって、隣接配線間の層間容量を小さくする。また、長距離引き回し配線である第5層配線M5 および第6層配線M6 では、低誘電率絶縁膜と比して膜密度が相対的に大きいTEOS酸化膜を用いることによって、第4層間絶縁膜20および第5層間絶縁膜23の放熱性および機械的強度を向上させる。

請求項（抜粋）：

相対的に短い距離を結線する短距離配線と、相対的に長い距離を結線する長距離配線とを異なる層に設けた多層配線を有する半導体集積回路装置であって、隣接する前記短距離配線の間には比誘電率が約3. 0以下の絶縁膜が設けられており、隣接する前記長距離配線の間には比誘電率が約3. 7以上の絶縁膜が設けられていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/90 A

Fターム (65件)：

4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104BB28 ,  4M104BB30 ,  4M104BB32 ,  4M104BB33 ,  4M104CC01 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD19 ,  4M104DD20 ,  4M104DD78 ,  4M104EE12 ,  4M104EE15 ,  4M104EE17 ,  4M104EE18 ,  4M104FF17 ,  4M104FF18 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033HH21 ,  5F033HH27 ,  5F033HH28 ,  5F033HH30 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033HH34 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ19 ,  5F033KK11 ,  5F033MM01 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR09 ,  5F033RR11 ,  5F033RR21 ,  5F033RR25 ,  5F033SS01 ,  5F033SS04 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033UU04 ,  5F033WW01 ,  5F033WW09 ,  5F033XX22 ,  5F033XX25 ,  5F033XX27