特許
J-GLOBAL ID：200903010358291911
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-303250
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211162
出願日： 1992年10月16日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【構成】 半導体基板11上にゲート酸化膜13とゲート電極15とを形成して減圧雰囲気中の化学気相成長法により気相成長膜17を形成する工程と、イオン注入法により半導体基板と逆導電型のイオンを導入して高濃度領域19を形成する工程と、ゲート電極の側壁の気相成長膜を除去して開口23を形成しイオン注入法により半導体基板と逆導電型のイオンを導入して低濃度領域21を形成する工程とを有する。【効果】 開口の幅寸法により低濃度領域の長さを制御しており、従来より低濃度領域の長さの制御性が向上する。このため、高性能な特性を有する半導体集積回路装置が得られる。
請求項（抜粋）：
すくなくともドレインに高濃度領域と低濃度領域とを有するMOSトランジスタの製造方法において、半導体基板上にゲート酸化膜とゲート電極とを形成し、全面に減圧雰囲気での化学気相成長法により気相成長膜を形成する工程と、イオン注入法により半導体基板と逆導電型の不純物を導入して高濃度領域を形成する工程と、ゲート電極の側壁の気相成長膜を除去して開口を形成し、イオン注入法により半導体基板と逆導電型の不純物を導入して低濃度領域を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
