特許
J-GLOBAL ID：200903010360185940
半導体素子用コーテイング材
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-075393
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263722
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 太陽電池、赤外線検出器、フォトダイオ-ド、カラ-センサ-、エレクトロルミネッセンス(EL)表示パネル、固体撮影像素子、X線蛍光板、発光ダイオ-ドなどの半導体素子を保護する、透明性、耐傷つき性、耐酸性、耐候性、耐汚染性、絶縁性を特徴とするコ-テイング材を提供する。【構成】(A)一般式(1) Rn-Si(OR1)4-n(式中、Rは水素原子もしくはC1〜C12のアルキル基、R1は水素原子もしくはC1〜C6のアルキル基であり、nは0、1、2、3である)で表される少なくとも1種のアルコキシシランの加水分解物、もしくはその部分縮合物からなるポリシロキサンおよび/または(B)一般式(2) -Si(OR1)3-m(R1)m(式中、R1は前記一般式(1)と同じで、m は0、1、2である)で表される基を分子中に含むシリル化ビニル系重合体を含有することを特徴とする半導体素子用コ-テイング材。
請求項（抜粋）：
(A)一般式(1) Rn-Si(OR1)4-n(式中、Rは水素原子もしくはC1〜C12のアルキル基、R1は水素原子もしくはC1〜C6のアルキル基であり、nは0、1、2、3である)で表される少なくとも1種のアルコキシシランの加水分解物、もしくはその部分縮合物からなるポリシロキサンおよび/または(B) 一般式(2) -Si(OR1)3-m(R1)m(式中、R1は前記一般式(1)と同じで、m は0、1、2である)で表される基を分子中に含むシリル化ビニル系重合体を含有することを特徴とする半導体素子用コ-テイング材。
IPC (8件)：
H01L 31/02
, C09D143/04 PGL
, C09D183/04 PMU
, H01L 23/29
, H01L 23/31
, H01L 31/04
, H01L 31/042
, H01L 33/00
H01L 31/02 B
, H01L 23/30 R
, H01L 31/04 F
, H01L 31/04 R
