特許

J-GLOBAL ID：200903010361750935

半導体集積回路

発明者： 真田 克
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-044004
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242395
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 LSIの裏面からレーザビームを照射することにより非接触でCMOS LSIの内部論理状態を検出する為のパターンレイアウト構造を提供する。【解決手段】 半導体基板上にCMOS構造で構成された論理回路を有する半導体集積回路の、基板1の一定の領域、例えばセル群領域4双互間の配線チャネル領域5に不純物領域6を設け、パターン配線により試験対象回路の出力部に接続する。これらの不純物領域6は電源電圧クランプ領域及び電気回路を構成する半導体素子形成領域とは電気回路的に独立し、レーザビームを基板の裏面から照射するためのものである。

請求項（抜粋）：

半導体基板上にCMOS構造で構成された論理回路を有する半導体集積回路において、論理回路の試験のため半導体基板の裏面からレーザ光を照射するために用いる不純物領域を有することを特徴とする半導体集積回路。

IPC (6件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  G01R 31/28 ,  G01R 31/302 ,  H01L 21/66 ,  H01L 21/82

FI (6件)：

H01L 27/04 T ,  H01L 21/66 E ,  G01R 31/28 V ,  G01R 31/28 L ,  H01L 21/82 T ,  H01L 27/04 E

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-080151   出願人：日本電気株式会社