特許

J-GLOBAL ID：200903010362301026

シリコンウェーハの熱処理方法

発明者： 芳野 史朗 ,  佐藤 淳
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 猪熊 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-209280
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161707
出願日： 1994年08月09日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：

【要約】【目的】シリコンウェーハの酸化膜耐圧を簡易に改善することができる熱処理方法を提供する。【構成】熱放射によって、900〜1050°C、1sec以上60sec未満の熱処理をシリコンウェーハに施すことを特徴とし、また、熱放射の熱源に波長0.1〜4μmのランプを用い、石英製の容器中にシリコンウェーハを配置し、該容器外より前記ランプによって950°C〜1200°C、1sec以上60sec未満の熱処理をH2濃度100%雰囲気下で行なうことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

熱放射によって、900〜1050°C、1sec以上60sec未満の熱処理をシリコンウェーハに施すシリコンウェーハの熱処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/324

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-303132
  
• 特開昭61-193456