パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-146267
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339955
出願日： 1995年06月13日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】パイロット基板に対する処理を経ることなく最適な露光時間を求め、これにより、製造装置がストップすることに伴う生産効率の低下を解消すると共に処理に多くの労力が必要にならないようにする。【構成】基板上に形成された被加工膜の上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成し、フォトレジスト膜に対して所定時間の露光を行なった後、露光されたフォトレジスト膜を現像して所定形状のレジストパターンを形成するパターン形成方法を前提とする。予め、被加工膜の膜厚と最適なパターン幅が得られる露光時間との関係を求めておくと共に、前記フォトレジストを塗布する前の被加工膜の膜厚を測定して測定膜厚値を求めておく。前記の関係から測定膜厚値と対応する最適露光時間を求め、前記の所定時間を最適露光時間に設定する。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された被加工膜の上にフォトレジストを塗布してフォトレジスト膜を形成するフォトレジスト膜形成工程と、前記フォトレジスト膜に対して所定時間の露光を行なう露光工程と、露光されたフォトレジスト膜を現像して所定形状のレジストパターンを形成するパターン形成工程とを備え、前記露光工程は、被加工膜の膜厚と最適なパターン幅が得られる露光時間との関係を求めておくと共に、前記フォトレジストを塗布する前の被加工膜の膜厚を測定して測定膜厚値を求めておき、前記関係から前記測定膜厚値と対応する最適露光時間を求め、前記所定時間を前記最適露光時間に設定する工程を有していることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/16 501 , G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 502 G , G03F 7/16 501 , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 564 Z

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