特許

J-GLOBAL ID：200903010372013363

高耐圧半導体装置の製造方法

発明者： 渡邊 雅英
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-178403
公開番号（公開出願番号）：特開平7-038102
出願日： 1993年07月20日
公開日（公表日）： 1995年02月07日
要約：

【要約】【目的】高耐圧化のために厚い高抵抗率層を必要とする高耐圧半導体装置を、コストが高く、欠陥の多いエピタキシャルウエーハを用いないで製造する。【構成】MCZ結晶のスライスドウエーハを用い、さらにインターナル・ゲッタリングにより表面層に無欠陥領域を形成したものを半導体基板として使用する。あるいは、MCZ結晶やFZ結晶のスライスドウエーハを用い、表面を多結晶シリコン層で覆うか、表面にサンドブラストを当てて歪層を形成することによるエクストリンシック・ゲッタリングにより欠陥を少なくしたものを半導体基板として使用する。

請求項（抜粋）：

酸素濃度1017/cm3 以上の半導体単結晶をスラインシングして得たウエーハをインターナル・ゲッタリング処理したのち、不純物拡散により所定の導電形および不純物濃度をもつ領域を形成することを特徴とする高耐圧半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 29/78 321 J ,  H01L 29/78 321 N ,  H01L 29/78 321 Y