特許

J-GLOBAL ID：200903010374427122

ドライエッチング方法及び薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 石橋 達夫
出願人/特許権者： 株式会社アドバンスト・ディスプレイ
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-072917
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274143
出願日： 1998年03月20日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：

【要約】【課題】 アモルファスシリコン上のシリコン窒化膜を選択的にエッチングでき、エッチング残等の不良の発生を低減するドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 i型アモルファスシリコン5上のシリコン窒化膜6のみを選択的にエッチングする工程において、少なくともSF6 ガスとO2 ガスを含む混合ガスを用い、平行平板型プラズマエッチング装置を用い、アノード結合モード、ガス圧力15Pa、高周波出力密度0. 2w/cm2 の条件でドライエッチングを行った。この時、混合ガス中のO2 ガス濃度を段階的または連続的に増加させることにより処理時間の短縮が図られ、寸法シフト量を低減できた。本発明によれば、堆積性のエッチング反応生成物の生成量が少なく、処理室内の異物が大幅に減少したので、エッチング残による欠陥の発生が低減でき、薄膜トランジスタの製造歩留まりが向上した。

請求項（抜粋）：

真空雰囲気中にエッチングガスを導入し、プラズマ中でアモルファスシリコン上に形成されたシリコン窒化膜を選択的にエッチングするドライエッチング方法であって、上記エッチングガスとして、少なくともSF6 ガスとO2 ガスを含む混合ガスを用いることを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/302 B ,  H01L 29/78 627 C