半導体装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高野則次
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-138402
公開番号（公開出願番号）：特開2000-332234
出願日： 1999年05月19日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：

【要約】【課題】 HEMT及びMESFETの高耐圧化を図ることが困難であった。【解決手段】 HEMTの主動作領域を半導体基体1の台状部分12に形成する。この台状部分12におけるソース細条部分2aとドレイン細条部分3aとの間に食い込む溝20を設ける。台状部分12の側面を絶縁膜で覆う。

請求項（抜粋）：

単一又は複数の半導体層を有し且つ一方の主面に主動作領域用台状部分を有する半導体基体と、前記台状部分の上に互いに対向するように配置された少なくとも第1及び第2の電極とを備え、且つ前記台状部分の少なくとも一部が電流通路となって電流が前記第1及び第2の電極の相互間に流れるように構成された半導体装置において、前記第1及び第2の電極の端部領域の相互間に位置するように前記台状部分に食い込んだ溝が設けられていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 27/095

FI (2件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/80 E

Fターム (22件)：

5F102FA01 , 5F102FA02 , 5F102FA10 , 5F102GB01 , 5F102GB05 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ05 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM06 , 5F102GN05 , 5F102GQ02 , 5F102GQ03 , 5F102GR04 , 5F102GR09 , 5F102GR11 , 5F102GV03 , 5F102GV06 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC17

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭52-057786
特開昭62-198165
特開昭57-030377

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