特許
J-GLOBAL ID：200903010382994591
固体撮像素子の画素特性の評価方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-311158
公開番号（公開出願番号）：特開平7-142693
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 簡便なシステムで効率良く画素特性の評価を行える固体撮像素子の画素特性の評価方法を提供することを目的とする。【構成】 画素部に電界効果トランジスタ1を形成してなる固体撮像素子の画素特性の評価方法であり、第1の工程(1)では電界効果トランジスタ1に電圧を印加することによって電界効果トランジスタ1の半導体基板11中にホットキャリア3を発生させ、このうちの正孔5を半導体基板11中に所定量蓄積する。第2の工程(2)では、正孔5が蓄積された状態で電界効果トランジスタ1を画素動作させて動作出力を出力回路19で測定する。これによって、固体撮像素子の画素特性の評価が、トランジスタ1の電気的な制御によって行われる。
請求項（抜粋）：
画素部に電界効果トタランジスタを形成してなる固体撮像素子の画素特性の評価方法であって、前記電界効果トランジスタに電圧を印加することによって当該電界効果トランジスタの半導体基板中にホットキャリアを発生させ、当該ホットキャリアのうちの正孔または電子を当該半導体基板中に所定量蓄積する第1の工程と、前記ホットキャリアが蓄積された状態で前記電界効果トランジスタを画素動作させて動作出力を測定する第2の工程とを行うことを特徴とする固体撮像素子の画素特性の評価方法。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 21/66
, H04N 17/00
