電荷移送膜

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-040595
公開番号（公開出願番号）：特開2003-243681
出願日： 2002年02月18日
公開日（公表日）： 2003年08月29日
要約：

【要約】【課題】光電変換素子の電荷移送膜を構成するp型半導体粒子間あるいは酸化物半導体多孔質膜と電荷移送膜との間の電気的接触を良好にし、光電極と対極との間の電荷移動が円滑に行われるようにすることにある。【解決手段】透明導電膜2と酸化物半導体多孔質膜3からなる光電極4と対極5との間に電荷移送膜11を介在せしめ、この電荷移送膜11を無機系p型半導体と導電助剤からなる複合構造を有し、その表面抵抗が3000Ω/ 以下である膜から構成する。上記導電助剤には、π共役系導電性高分子、例えばポリアニリンおよびその誘導体を用いることが好ましい

請求項（抜粋）：

無機系p型半導体と導電助剤からなる複合構造を有し、その表面抵抗が3000Ω/□以下であること特徴とする電荷移送膜。

IPC (3件)：

H01L 31/04 , C08G 73/00 , H01M 14/00

FI (3件)：

C08G 73/00 , H01M 14/00 P , H01L 31/04 Z

Fターム (21件)：

4J043PA02 , 4J043PC166 , 4J043QB02 , 4J043QC02 , 4J043RA02 , 4J043SB01 , 4J043TA09 , 4J043TB01 , 4J043UA121 , 4J043ZA45 , 4J043ZB49 , 5F051AA14 , 5F051FA03 , 5F051FA06 , 5H032AS06 , 5H032AS16 , 5H032EE02 , 5H032EE04 , 5H032EE16 , 5H032EE18 , 5H032HH08

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