光双安定半導体レーザ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡本啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-048847
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263790
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】双安定半導体レーザに関し、高効率で安定で信頼性の高くすること。【構成】光の進行方向に沿って利得領域12よりも可飽和領域13の膜厚が厚く、該膜厚が該利得領域12から該可飽和領域13にかけて連続的に変化している量子井戸層3を含む。

請求項（抜粋）：

光の進行方向に沿って利得領域(12)よりも可飽和領域(13)の膜厚が厚く、該膜厚が該利得領域(12)から該可飽和領域(13)にかけて連続的に変化している量子井戸層(3)を有することを特徴とする特徴とする光双安定半導体レーザ。

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