特許

J-GLOBAL ID：200903010396763584

SOI構造の形成方法

発明者： 島ノ江 宗治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-313702
公開番号（公開出願番号）：特開平6-104411
出願日： 1991年10月31日
公開日（公表日）： 1994年04月15日
要約：

【要約】【目的】基板をはり合わせてはり合わせSOI構造を形成する際、はり合わせ面を凸にして両基板間に気泡を生じさせないようにするために研磨やエッチング等の煩瑣な工程を要することなく、しかもはり合わせる基板の反り形状がいかなる状態になっていても確実に気泡の発生しないはり合わせを達成できるはり合わせSOI構造の形成方法を提供するものである。【構成】一方のがわに絶縁部が形成されたシリコン基板1の該絶縁部が形成されたがわの面に別の基板4をはり合わせ、シリコン基板1の他方のがわの面を研磨することによって絶縁部上にシリコン部分が存在するSOI構造を得るSOI構造の形成方法において、シリコン基板1と別の基板4とをはり合わせる際に、両基板1,4の間の外周部に被挟持物5を介在させることによって、両基板1,4の少なくともいずれか一方がはり合わせ面に対して凸になる状態ではり合わせを行うことにより、中央から周辺に順次はり合わせ密着を行わせるようにして基板間に気泡が生じないようにしたSOI構造の形成方法。

請求項（抜粋）：

一方のがわに絶縁部が形成されたシリコン基板の該絶縁部が形成されたがわの面に別の基板をはり合わせ、前記シリコン基板の他方のがわの面を研磨することによって絶縁部上にシリコン部分が存在するSOI構造を得るSOI構造の形成方法において、前記シリコン基板と別の基板とをはり合わせる際に、両基板の間の外周部に被挟持物を介在させることによって、両基板の少なくともいずれか一方がはり合わせ面に対して凸になる状態ではり合わせを行うことを特徴とするSOI構造の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 27/12 ,  H01L 21/02