特許

J-GLOBAL ID：200903010400349879

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 保科 順一 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-189075
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037390
出願日： 1992年07月16日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 安定な横モード制御型の高出力半導体レーザ素子を提供する。【構成】 単一横モード制御型半導体レーザ用結晶構造において、第二クラッド層6のリッジ部側面に第二クラッド層6と同じ材料で構成された高抵抗領域6aを有するレーザ素子構造とする。

請求項（抜粋）：

結晶基板上に、N型のクラッド層と活性層と第一のP型クラッド層よりなるダブルへテロ構造を含み、さらに前記第一のP型クラッド層上にメサストライプ形状の第二のクラッド層を有し、前記メサストライプ状に形成された第二のクラッド層の側面が高抵抗である事を特徴とする半導体レーザ素子。