特許
J-GLOBAL ID：200903010401025465
強磁性トンネル効果素子およびそれを用いた磁気装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-258950
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090415
出願日： 1998年09月11日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 強磁性トンネル効果素子において、小さい磁場で大きな磁気抵抗変化率を容易に得ること可能にし、また抵抗や磁界感度のバラツキを抑制する。さらに、抵抗の減少を図る。【解決手段】 強磁性トンネル効果素子は、保磁力をもつ強磁性体2と誘電体3との混合体からなるグラニュラー磁性膜4に、少なくとも一方が強磁性体からなる一対の電極5、6が近接配置されている。これら一対の電極5、6のうち、一方の強磁性体電極5は誘電体層7を介してグラニュラー磁性膜4と積層する。他方の電極6はグラニュラー磁性膜4中の強磁性体2と実質的に接触させる。
請求項（抜粋）：
誘電体と保磁力をもつ強磁性体との混合体からなるグラニュラー磁性膜と、前記グラニュラー磁性膜に近接配置され、少なくとも一方が強磁性体からなる一対の電極とを具備する強磁性トンネル効果素子において、前記一対の電極のうち、一方の強磁性体からなる電極は誘電体層を介して前記グラニュラー磁性膜と積層されており、かつ他方の電極は前記グラニュラー磁性膜中の強磁性体と実質的に接触していることを特徴とする強磁性トンネル効果素子。
Fターム (3件)：
5D034BA03
, 5D034BA08
, 5D034BA21
