異方性薄膜評価方法および装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：後藤洋介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-355331
公開番号（公開出願番号）：特開2002-162344
出願日： 2000年11月22日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：

【要約】【課題】異方性薄膜の規則度および配向方位を高速に測定することができると共に、異方性薄膜の構造を正確に評価することができる異方性薄膜評価方法を提供する。【解決手段】試料9に対してp偏光である第1の照射光を試料9に照射すると共に、試料9の板面上にて反射した第1の照射光のs偏光成分の強度を検出する第1の検出工程と、試料9に対してp偏光である第2の照射光を試料9に照射すると共に、試料9の板面上にて反射した第2の照射光のs偏光成分の強度を検出する第2の検出工程と、第1および第2の検出工程にて得られた第1および第2の強度分布を演算処理することにより、試料9における薄膜の構造を決定する評価工程とを有している。第1および第2の検出工程は、同時に行う。

請求項（抜粋）：

評価すべき異方性薄膜としての基板状試料に対して、p偏光またはs偏光である第1の照射光を、該試料の板面上での方位角が第1の入射角となるように照射すると共に、前記試料の板面上にて反射した前記第1の照射光のs偏光またはp偏光成分の強度を、前記方位角が第1の反射角となるように検出する第1の検出工程と、前記基板状試料に対して、p偏光またはs偏光である第2の照射光を、該試料の板面上での方位角が第2の入射角となるように照射すると共に、前記試料の板面上にて反射した前記第2の照射光のs偏光またはp偏光成分の強度を、前記方位角が第2の反射角となるように検出する第2の検出工程と、前記第1および前記第2の検出工程にて得られた第1および第2の強度分布を演算処理することにより、前記試料における薄膜の構造を決定する評価工程とを有し、前記第1および前記第2の検出工程を、同時に行うことを特徴とする異方性薄膜評価方法。

IPC (3件)：

G01N 21/21 , G02F 1/13 101 , G02F 1/1337

FI (3件)：

G01N 21/21 Z , G02F 1/13 101 , G02F 1/1337

Fターム (25件)：

2G059AA05 , 2G059BB10 , 2G059BB16 , 2G059DD13 , 2G059EE02 , 2G059EE05 , 2G059GG01 , 2G059GG03 , 2G059GG04 , 2G059JJ19 , 2G059KK01 , 2G059KK03 , 2G059KK04 , 2G059MM01 , 2G059MM03 , 2G059PP04 , 2H088FA11 , 2H088FA30 , 2H088HA18 , 2H088MA20 , 2H090HB08Y , 2H090JB02 , 2H090LA05 , 2H090LA09 , 2H090MB01

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