特許

J-GLOBAL ID：200903010412898754

化合物半導体単結晶の表面清浄化方法及びエッチング液

発明者： 山田 隆史
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-192748
公開番号（公開出願番号）：特開平8-034700
出願日： 1994年07月26日
公開日（公表日）： 1996年02月06日
要約：

【要約】【目的】 単結晶表面の平滑性がエッチング前後で劣化せず、鏡面で清浄性に優れ、エピタキシャル成長等に適したII-VI 族化合物半導体単結晶の表面清浄化方法、及び、その方法に使用するエッチング液を提供しようとするものである。【構成】 II-VI 族化合物半導体単結晶を過マンガン酸カリウム、硫酸及び水の混合溶液でエッチングを行い、次いで、ジクロルメタン又はトリクロルエチレン中で超音波洗浄を行うか、200°C以上に加熱して熱処理するか、常温の二硫化炭素で浸漬処理することを特徴とするII-VI 族化合物半導体単結晶の表面清浄化方法、及び、表面清浄化用エッチング液である。

請求項（抜粋）：

II-VI 族化合物半導体単結晶を過マンガン酸カリウム、硫酸及び水の混合溶液でエッチングを行い、次いで、ジクロルメタン又はトリクロルエチレン中で超音波洗浄を行うことを特徴とするII-VI 族化合物半導体単結晶の表面清浄化方法。

IPC (4件)：

C30B 33/10 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/308 ,  C30B 29/48