特許

J-GLOBAL ID：200903010420985100

半導体スイッチング装置

発明者： 大島 俊藏
出願人/特許権者： 矢崎総業株式会社
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外8名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-363644
公開番号（公開出願番号）：特開2002-111465
出願日： 2000年11月29日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
要約：

【要約】【課題】 突入電流が発生していても過電流の検出をし、不完全短絡が発生した場合の異常電流に対して高速応答する半導体スイッチング装置を提供する。【解決手段】 マルチソースFETのメイン電界効果トランジスタ(FET)とリファレンスFETのソース電位の大小関係を比較する。メインFETのソース電位がリファレンスFETのソース電位を上回っているときマルチソースFETのゲートに駆動電圧を印可し反対のときマルチソースFETのゲートに駆動電圧を遮断する。さらに、負荷側の電流が過渡的成分を含めて正常範囲にあるときは、リファレンスFETのソース電位がメインFETのソース電位を上回らないようにリファレンスFETの電流を制御する回路をリファレンスFETのソースと接地間に設置する。このことで、メインFETに流れる異常電流を検知して、異常電流発生時にはメインFETをオン/オフ制御して電流振動を生成し、この電流振動により、メインFETを遮断する。

請求項（抜粋）：

メインFETとリファレンスFETからなるマルチソースFETと、前記メインFETのソース電位と前記リファレンスFETのソース電位の大小関係を比較する電圧比較装置と、前記メインFETのソース電位が前記リファレンスFETのソース電位を上回っているとき前記マルチソースFETのゲートに駆動電圧を印加し、前記メインFETのソース電位が前記リファレンスFETのソース電位を下回っているとき前記マルチソースFETのゲートへの駆動電圧を遮断するゲート駆動回路とを備えた半導体スイッチング装置において、負荷側の電流が過渡的成分を含めて正常範囲にあるときは、前記リファレンスFETのソース電位が前記メインFETのソース電位を上回らないように前記リファレンスFETの電流を制御する回路を前記リファレンスFETのソースと接地間に設置したことを特徴とする半導体スイッチング装置。

IPC (4件)：

H03K 17/08 ,  H02H 3/087 ,  H02H 3/093 ,  H03K 17/687

FI (4件)：

H03K 17/08 C ,  H02H 3/087 ,  H02H 3/093 D ,  H03K 17/687 A

Fターム (38件)：

5G004AA04 ,  5G004AB02 ,  5G004BA03 ,  5G004BA04 ,  5G004DA04 ,  5G004DC01 ,  5G004DC12 ,  5G004EA01 ,  5J055AX15 ,  5J055AX34 ,  5J055AX38 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX20 ,  5J055CX22 ,  5J055CX28 ,  5J055DX09 ,  5J055DX22 ,  5J055DX31 ,  5J055EX06 ,  5J055EX07 ,  5J055EX08 ,  5J055EX31 ,  5J055EY01 ,  5J055EY03 ,  5J055EY12 ,  5J055EY21 ,  5J055EY26 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ34 ,  5J055EZ43 ,  5J055EZ57 ,  5J055FX04 ,  5J055FX12 ,  5J055FX38 ,  5J055GX01 ,  5J055GX02 ,  5J055GX05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 電流検出機能付トランジスタの駆動制御回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-262326   出願人：株式会社豊田自動織機製作所