特許
J-GLOBAL ID：200903010422556339
半導体降圧回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-183283
公開番号（公開出願番号）：特開平6-028854
出願日： 1992年07月10日
公開日（公表日）： 1994年02月04日
要約：
【要約】【目的】半導体回路上で低損失で、しかも出力電圧の安定した降圧回路を提供することにある。【構成】容量の等しい2個のコンデンサC1,C2およびトランジスタTr1,Tr2を用いる。充電時は2個のコンデンサC1,C2を直列に接続し、入力電源VEXT により充電する。また、放電時には1個ずつ並列に接続したものを出力VINT に接続して放電する。これらにより、入力電圧VEXT の1/2の電圧を出力VINT として発生させることができる。
請求項（抜粋）：
容量の等しいm×n個(m〈n、m,nは整数)のコンデンサを用い、充電時はn個ずつ直列に接続したものをm組並列に接続して入力電源により充電し、放電時にはm個ずつ直列に接続したものをn組並列に出力に接続して放電することにより、入力電圧のm/nの電圧を出力することを特徴とする半導体降圧回路。
IPC (2件)：
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