特許
J-GLOBAL ID：200903010424524086
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-136826
公開番号（公開出願番号）：特開平10-335648
出願日： 1997年05月27日
公開日（公表日）： 1998年12月18日
要約：
【要約】【課題】信頼性が高く性能の安定した微細なMOSトランジスタを容易に実現できるようにする。【解決手段】絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の形成において、ゲート酸化膜上のゲート電極材の膜厚所定領域に酸素元素あるいは窒素元素を含む検出層を形成する工程と、前記ゲート電極材のドライエッチングにおいてエッチングが進行し前記検出層に達した時点で前記酸素あるいは窒素を検出し前記ドライエッチングを停止する工程と、前記ドライエッチングを停止した後に前記検出層の下に残存するゲート電極材を酸化膜あるいは窒化膜に変換して保護絶縁膜を形成すると共に前記保護絶縁膜で互いに分離するゲート電極を形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極の形成において、ゲート酸化膜上のゲート電極材の膜厚所定領域に酸素元素あるいは窒素元素を含む検出層を形成する工程と、前記ゲート電極材のドライエッチングにおいてエッチングが進行し前記検出層に達した時点で前記酸素あるいは窒素を検出し前記ドライエッチングを停止する工程とを有することを特徴とした半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3065
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/28 301 A
, H01L 21/302 E
