特許
J-GLOBAL ID：200903010426317665
集積化光装置及び製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-216632
公開番号（公開出願番号）：特開平7-074342
出願日： 1993年08月31日
公開日（公表日）： 1995年03月17日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、光ファイバ、光導波路及び光半導体素子を容易にかつ正確に位置合わせすることができる集積化光装置及びその製造方法を提供することである。【構成】 シリコン基板上に形成された光導波用コアと、前記光導波用コアを包み込むように形成されたクラッド層と、前記光導波用コアと光ファイバとを光学的に結合するために光ファイバを位置決めするための、前記光導波用コアの一方の端面から一方向に光軸に沿って前記シリコン基板表面に形成された断面がV字状の光ファイバガイド溝と、前記光導波用コアの他方の端面から光軸に沿った延長線上の、前記クラッド層上にボンディングされたエッジ入出力型の光半導体素子と、前記光導波用コアと前記光半導体素子とを光学的に結合するために、前記シリコン基板表面からの光軸の高さを変えるための光軸レベル変換手段とを有する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板(1)上に形成された光導波用コア(4)と、前記光導波用コアを包み込むように形成されたクラッド層(20)と、前記光導波用コアと光ファイバとを光学的に結合するために光ファイバを位置決めするための、前記光導波用コアの一方の端面から一方向に光軸に沿って前記シリコン基板表面に形成された断面がV字状の光ファイバガイド溝(5)と、前記光導波用コアの他方の端面から光軸に沿った延長線上の、前記クラッド層上にボンディングされたエッジ入出力型の光半導体素子(8)と、前記光導波用コアと前記光半導体素子とを光学的に結合するために、前記シリコン基板表面からの光軸の高さを変えるための光軸レベル変換手段(10、11、12)とを有する集積化光装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
