特許

J-GLOBAL ID：200903010430533534

プラズマエッチング方法

発明者： 土肥 孝好 ,  谷口 泰之 ,  齋藤 秀一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-324549
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177083
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 この発明はエッチングガスによってエッチングを行う場合に、エッチングレ-トの選択比を向上させることができるようにしたエッチング方法を提供することを目的とする。【構成】 液晶基板1が設置されたエッチングチャンバ12内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記液晶基板に設けられたシリコン膜、シリコンナイトライド膜あるいはモリブデン-タンタルの合金膜8などをエッチングするプラズマエッチング方法において、上記エッチングガスは弗素系ガスと塩素系ガスとの混合ガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。

請求項（抜粋）：

被エッチング物質が設置されたエッチングチャンバ内にエッチングガスを導入し、このエッチングガスをプラズマ状態に励起して上記被エッチング物質をエッチングするプラズマエッチング方法において、上記エッチングガスは弗素系ガスと塩素系ガスとの混合ガスであることを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-096223
  
• 特開平3-222417
  
• 特開平4-271120