特許
J-GLOBAL ID：200903010434756520
半導体発光装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-116321
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315645
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】 緑色から青色の領域内で発光し、かつ基板と半導体層との間に歪みを生じることがなく、しかも半導体レーザ装置としても利用し得、また、容易に集積化することができる半導体発光装置を提供する。【構成】 発光材料としてCu、Ga、S及びSeを含有するカルコパイライト族化合物半導体を用いている。この半導体においては、緑色から青色の領域内の光が発振される混晶比の範囲内において、Si基板1の格子定数とその格子定数が一致するので、該基板1に格子整合する半導体層3、4を得られる。さらに、上記混晶比の範囲内で選択される異なる混晶比の半導体の間では、十分に大きなエネルギーギャップの差を得ることができるので、半導体レーザ装置として利用できる半導体発光装置が得られる。また、Si基板1を用いているので発光装置、受光素子及び駆動回路等のすべてを同一の基板上に作製することができる。
請求項（抜粋）：
Si基板上に半導体層が積層形成され、該半導体層が、該Si基板の格子定数とほぼ等しい格子定数を有し、かつCu、Ga、SおよびSeを含有するカルコパイライト族化合物からなる半導体発光装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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