特許

J-GLOBAL ID：200903010435153071

ポリシラン配向膜の製造方法

発明者： 可児 利佳子 ,  川田 靖 ,  中野 義彦 ,  村井 伸次 ,  早瀬 修二
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-243793
公開番号（公開出願番号）：特開平6-095125
出願日： 1992年09月11日
公開日（公表日）： 1994年04月08日
要約：

【要約】【構成】基板上にポリシラン薄膜を形成する。続いて、前記ポリシラン薄膜に対し、特定の一方向に振動成分を有するエネルギー線を吸収させることによって、前記ポリシラン薄膜中のポリシラン分子のうち、前記エネルギー線の振動成分の方向と略直交する方向に配向した成分を選択的に残存させる。【効果】ポリシラン分子のSi-Si主鎖が、全面に亘って秩序良く一定方向に配向したポリシラン配向膜を得ることができる。

請求項（抜粋）：

(a)基板上にポリシラン薄膜を形成する工程と、(b)前記ポリシラン薄膜に、特定の一方向に振動成分を有するエネルギー線を吸収させることによって、前記ポリシラン薄膜中のポリシラン分子のうち、前記エネルギー線の振動成分の方向と略直交する方向に配向した成分を選択的に残存させる工程と、を具備するポリシラン配向膜の製造方法。