特許
J-GLOBAL ID：200903010437873420
厚膜多層セラミツクス基板
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-300751
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136565
出願日： 1991年11月15日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】本発明の目的は、多層構造表面に機能部品が半田接合により搭載される厚膜多層セラミックス基板の耐熱ストレス性を向上させることである。【構成】 表面誘電体層上に導体層が設けられ該導体層上に形成した半田層を介して該導体層と機能部品とが電気接続される厚膜多層セラミックス基板において、前記導体層の周縁に沿って該導体層を覆う半田に濡れない材料からなる被覆層を設け該被覆層によって囲まれた領域内に前記半田層を形成する。
請求項（抜粋）：
表面誘電体層上に導体層が設けられ該導体層上に形成した半田層を介して該導体層と機能部品とが電気接続される厚膜多層セラミックス基板において、前記導体層の周縁に沿って該導体層を覆う半田に濡れない材料からなる被覆層を設け該被覆層によって囲まれた領域内に前記半田層を形成したことを特徴とする厚膜多層セラミックス基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46
, H05K 3/28
, H05K 3/34
