特許
J-GLOBAL ID：200903010442479608
回路を保護する高圧低インダクタンス抵抗器
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
伊東 忠彦
, 大貫 進介
, 伊東 忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-525669
公開番号（公開出願番号）：特表2004-508725
出願日： 2001年08月24日
公開日（公表日）： 2004年03月18日
要約：
本発明の低インダクタンス抵抗器(120)は、外周と中心を有する抵抗器本体(122)を含む。第1の端子(126)は抵抗器の中心から離れた外周の付近に配置される。蛇行抵抗素子(130)は、第1の端(136)を有する。導電リング(124)は外周の付近に配置され、蛇行抵抗素子を囲む。リングは第1の端子に電気接続される。第1の端は導電リングに接続される。抵抗素子の第1の抵抗セグメント(138a)は第1の端から始まり、本体の外周周りに第1の方向に延在する。頂点(142a)が抵抗素子を略反対の方向に向け、第1の抵抗セグメントは、入力部(143)に入る。第2の抵抗セグメント(140a)は頂点の出力部(145)から出て、第1の抵抗セグメントの方向とは略反対の第2の方向に延在する。第2の抵抗素子は、第1の抵抗素子に隣接し、且つ、間隔があけられて配置される。第1及び第2の抵抗セグメントにより、単一の平面上に配置される同心円状の蛇行パターンが得られる。抵抗素子の第2の端(148)は、抵抗器の略中心に配置される。第2の端子(128)は、抵抗器の中心に配置され、蛇行する抵抗素子の第2の端に電気接続する。
請求項（抜粋）：
高圧低インダクタンス抵抗器であって、
外周及び中心を有する抵抗器本体と、
上記抵抗器の上記中心から離れて配置される第1の端子と、
蛇行する抵抗素子と、
上記蛇行する抵抗素子を囲む導電リングと、
上記抵抗器の上記中心に配置される第2の端子とを含み、
上記蛇行する抵抗素子は、
第1の端と、
上記第1の端から始まり上記本体の上記外周回りの第1の方向に延在する第1の抵抗セグメントと、
入力部及び出力部を有し、上記第1の抵抗セグメントは上記入力部に入る頂点と、
上記頂点の上記出力部から出て、上記第1の抵抗セグメントの上記第1の方向とは略反対の第2の方向に延在し、上記第1の抵抗セグメントに隣接し且つ間隔があけられて配置される第2の抵抗セグメントと、
上記抵抗器素子の略中心に配置される第2の端とを含み、
上記第1の抵抗セグメント及び上記第2の抵抗セグメントのパターンは、単一の平面に同心円状の蛇行するパターンを与えるよう配置され、
上記導電リングは、上記第1の端子、及び、上記蛇行する抵抗素子の上記第1の端のそれぞれに電気接続し、
上記第2の端子は、上記蛇行する抵抗素子の上記第2の端に電気接続する抵抗器。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
4C092AA01
, 4C092AB19
, 4C092AC01
, 4C092AC16
, 4C092AC17
, 4C092BD10
