特許
J-GLOBAL ID：200903010442838632
分割ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 孝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-278316
公開番号（公開出願番号）：特開平9-095782
出願日： 1995年10月02日
公開日（公表日）： 1997年04月08日
要約：
【要約】【課題】 ターゲット裏面の磁石を往復移動させながらスパッタリングを行なう機構を有するマグネトロンスパッタリング装置を用い、かつ分割ターゲットを用いてスパッタリングを行なう場合に、パーティクルの発生を効果的に抑制し、もって大型のターゲットが得られにくかった分割ターゲット、特にITO等の大型ターゲットを用いても良好な成膜が達成できるマグネトロンスパッタリング法による薄膜形成方法を提供する。【解決手段】 各分割ターゲット小片同士の接合境界線がスパッタリングターゲット裏面の磁石の移動方向と実質的に直交するように配置して成膜する。特に前記スパッタリングターゲットの材質がITOである場合に有効である。
請求項（抜粋）：
スパッタリングターゲットが二以上の分割された小片をバッキングプレート上に接合してなり、該ターゲット裏面に配置された磁石を往復移動させながらスパッタリングを行なう機構を有するマグネトロンスパッタリング装置を用いて薄膜形成するに際し、前記各ターゲット小片同士の接合境界線がスパッタリングターゲット裏面の磁石の移動方向と実質的に直交するように配置して成膜することを特徴とする分割ターゲットを用いたマグネトロンスパッタリング方法。
IPC (5件)：
C23C 14/35
, C23C 14/08
, C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
C23C 14/35 C
, C23C 14/08 D
, C23C 14/34 B
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
