特許

J-GLOBAL ID：200903010446133935

半導体レーザ素子

発明者： 田中 俊明 ,  柳澤 浩徳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-263352
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122811
出願日： 1993年10月21日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】閾値電流の低減及び高温動作を図って改善することにある。【構成】半導体基板上に設けた禁制帯幅の大きな光導波層に挾まれた量子井戸層構造の活性層において、前記量子井戸層の構成元素に対して前記半導体基板とは格子整合しない組成を用いることにより引張応力或いは圧縮応力を生じる格子歪を導入するが、歪量子井戸層に対して格子歪を一様に導入するのではなく、周期的に或いは不規則に超格子構造として変調して前記量子井戸層内にポテンシャル井戸を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた禁制帯幅の大きな光導波層に挾まれた量子井戸層構造の活性層において、前記量子井戸層の構成元素に対して前記半導体基板とは格子整合しない組成を用いることにより引張応力或いは圧縮応力を生じる格子歪を導入するが、歪量子井戸層に対して格子歪を一様に導入するのではなく、周期的に或いは不規則に超格子構造として変調して前記量子井戸層内にポテンシャル井戸を形成することを特徴とする半導体レーザ素子。

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体レーザ素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-061772   出願人：株式会社日立製作所