不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロック

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：坂口博 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-163655
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368197
出願日： 2001年05月31日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【課題】本発明は、不揮発性磁気メモリ・セル及びそれを用いた記憶回路ブロックを提供する。【解決手段】本発明の不揮発性磁気メモリ・セル32はビット・ライン14とビット・ライン14に流れる電流によって生じる磁界の方向によって磁化の方向が変化する強磁性体の層を含む記憶素子10と、ビット・ライン14と記憶素子10とを接続する導電体12と、スイッチング素子28、と導電体12とで記憶素子10を挟み、記憶素子10とスイッチング素子28の一端とを接続する第1配線構造体24と、ビット・ライン14に非接触で交差する書き込みワード・ライン16と、書き込みワード・ライン16と記憶素子10とを絶縁する絶縁膜20と、を含むように構成した。

請求項（抜粋）：

ビット・ラインと該ビット・ラインに流れる電流によって生じる磁界の向きによって磁化の向きが変化する強磁性体の層を含む記憶素子と、前記ビット・ラインと該記憶素子とを接続する導電体と、スイッチング素子と、前記導電体とで前記記憶素子を挟み、前記記憶素子と前記スイッチング素子の一端とを接続する第1配線構造体と、前記ビット・ラインに非接触で交差する書き込みワード・ラインと、前記書き込みワード・ラインと前記記憶素子とを絶縁する絶縁膜と、を含む不揮発性磁気メモリ・セル。

IPC (5件)：

H01L 27/105 , G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/10 461 , H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/14 A , G11C 11/15 , H01L 27/10 461 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

Fターム (16件)：

5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083KA01 , 5F083KA05 , 5F083KA20 , 5F083MA06 , 5F083MA15 , 5F083MA16 , 5F083MA19 , 5F083PR04 , 5F083PR40 , 5F083ZA12

引用特許：

審査官引用 (6件)

磁気ランダム・アクセス・メモリおよびその製作方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-122085 出願人：モトローラ・インコーポレイテッド
磁気素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-089616 出願人：株式会社東芝
巨大磁気抵抗効果を利用したメモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-102957 出願人：キヤノン株式会社

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