特許

J-GLOBAL ID：200903010461799524

半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 向原 一誠
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 煤孫 耕郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287721
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122814
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】 分布帰還型半導体レーザの回折格子の発光端面での位相を制御し、発振モードの安定性や電流-光出力の直線性に対する歩留の向上を目的とする。【構成】 分布帰還型半導体レーザの回折格子の山の部分に不純物をイオン注入する。レーザダイオードを形成した後、2次イオン質量分析装置等を用いて発光端面をエッチングし、初めにイオン注入した不純物の濃度を観測する。不純物濃度によって発光端面での回折格子の位相を制御し、発振モードの安定性や電流-光出力の直線性に対する歩留を向上させる。

請求項（抜粋）：

回折格子を有する半導体レーザにおいて、該回折格子を形成する一方の半導体結晶に、導電型を決定するための不純物とは別に前記不純物とは異なる不純物を含有する部分を設けたことを特徴とする半導体レーザ。