特許
J-GLOBAL ID：200903010461938338
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079052
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270427
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】コンタクトホールやスルーホール等の落差の大きな段差を有していたとしても低抵抗でかつ平坦な構造をより簡単に歩留り良く実現する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】段差部を有する表面上に配線が形成される半導体装置において、形成された配線の少なくとも表面層に水素が含まれている事を特徴とする半導体装置。半導体装置における配線の成膜中又は成膜後に、該配線に水素を含有せしめることを特徴とする半導体装置の製造方法。特に、配線を成膜後、大気にさらす工程を経ることなく水素ガス、ラジカル水素もしくはプラズマ水素を含む雰囲気中で350〜450°Cの温度で該配線の熱処理する。また、水素、ラジカル水素もしくはプラズマ水素のいずれか1種以上を0.1〜10%含むAr及び/又はXeプラズマ中で配線を成膜する。
請求項（抜粋）：
段差部を有する表面上に配線が形成される半導体装置において、形成された配線の少なくとも表面層に水素が含まれている事を特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 21/88 B
, H01L 21/88 M
