特許

J-GLOBAL ID：200903010469904912

ダイヤモンド材料の改質方法と、その方法により改質されたダイヤモンド材料を用いた半導体装置

発明者： 筒井 康充
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 深見 久郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-014263
公開番号（公開出願番号）：特開平11-214321
出願日： 1998年01月27日
公開日（公表日）： 1999年08月06日
要約：

【要約】【課題】 光照射によってダイヤモンド材料の半導体特性を改善し、優れた特性を有する半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 本発明によるダイヤモンド材料の改質方法では、所定の不純物原子を含むダイヤモンド材料を準備し、そのダイヤモンド材料中に含まれる炭素原子と不純物原子の少なくとも一方の内殻電子を励起し得る高エネルギ光を照射し、これによって、ダイヤモンド材料の半導体特性を改善することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

所定の不純物原子を含むダイヤモンド材料を準備し、前記ダイヤモンド材料に含まれる炭素原子と前記不純物原子の少なくとも一方の内殻電子を励起し得る高エネルギ光を照射し、それによって、前記ダイヤモンド材料の半導体特性を改善することを特徴とするダイヤモンド材料の改質方法。

IPC (6件)：

H01L 21/265 ,  C30B 29/04 ,  C30B 31/22 ,  C30B 33/04 ,  G21G 1/12 ,  H01L 29/861

FI (7件)：

H01L 21/265 Z ,  C30B 29/04 V ,  C30B 31/22 ,  C30B 33/04 ,  G21G 1/12 ,  H01L 21/265 602 Z ,  H01L 29/91 F