特許

J-GLOBAL ID：200903010472530454

基板処理装置

発明者： 遠目塚 幸二
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-079032
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280373
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：

【要約】【課題】 回転中心側からガスを導入しても、反応ガスのガス混合比率が変ることがなく、所望の膜質、成膜速度を得る。【解決手段】 縦型CVD装置は、反応種ガスと反応媒体ガスとからなる反応ガスを反応室25内に導入しつつ排気して、被処理基板を回転させながら処理を行う。この装置は、被処理基板を回転させる回転軸41を反応室25内に気密に挿入するシール部50を有する。反応ガスのうちの反応種ガスはガス導入ポート21から反応室25内に導入させる。反応ガスのうちの残りの反応媒体ガスは、ガス導入ポート21からではなく、補助ガス供給管26および補助ガス導入管27からシール部50の間隙54を通して反応室25内に導入させる。

請求項（抜粋）：

少なくとも2種類のガスを反応室内に導入しつつ排気して、被処理基板を回転させながら処理を行う基板処理装置において、前記被処理基板を回転させるために前記反応室内に挿入した回転軸をシールするシール部を有し、前記シール部を通して前記少なくとも2種類のガスのうちの1種類のガスを前記反応室内に導入させ、前記少なくとも2種類のガスのうちの残りの種類のガスをガス供給口より前記反応室内に導入させることを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/44 ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/22 511

FI (4件)：

H01L 21/31 B ,  C23C 16/44 G ,  C23C 16/455 ,  H01L 21/22 511 S

Fターム (29件)：

4K030AA03 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA13 ,  4K030AA14 ,  4K030BA40 ,  4K030BA44 ,  4K030EA06 ,  4K030GA06 ,  4K030KA04 ,  4K030KA10 ,  5F045AA03 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC03 ,  5F045AC05 ,  5F045AC11 ,  5F045AC12 ,  5F045BB04 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06 ,  5F045EB10 ,  5F045EC07 ,  5F045EE13 ,  5F045EM10 ,  5F045EN05