特許
J-GLOBAL ID：200903010480712260
磁気抵抗センサ及びこれを用いた磁気記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-265474
公開番号（公開出願番号）：特開平11-112052
出願日： 1997年09月30日
公開日（公表日）： 1999年04月23日
要約：
【要約】【課題】バルクハウゼンノイズがなく、再生特性の変動が小さい磁気抵抗センサ及びそれを用いた磁気記録再生装置を提供する。【解決手段】硬磁性層として、少なくともCoを含む合金を下地膜を設けずに用い、第2の強磁性膜に縦バイアス磁界を効率良く印加することができ、バルクハウゼンノイズがなく、再生特性の変動が小さいスピンバルブ構造の磁気抵抗センサ。さらに、スピンバルブ構造の磁気抵抗センサ積層膜の反強磁性膜に、体心立方格子,体心正方格子または単純正方格子である反強磁性膜、あるいは、Mnと、Cr,Ni,Pd,Ptから選ばれる少なくとも1種類の元素を含む反強磁性膜を用いた磁気抵抗センサ。
請求項（抜粋）：
非磁性導電膜を介して第1の強磁性膜と第2の強磁性膜が積層されており、前記第1の強磁性膜の磁化の方向は固定されており、前記第2の強磁性膜の磁化は外部磁界により回転し、前記第1の強磁性膜の磁化の方向と前記第2の強磁性膜の磁化の方向の相対的な角度が変わることによって電気抵抗が変化する磁気抵抗センサ積層膜と、前記磁気抵抗センサ積層膜に縦バイアス磁界を印加するために前記磁気抵抗センサ積層膜の両脇に設けられた硬磁性層と、前記磁気抵抗センサ積層膜に信号検出電流を流すための電極と、前記磁気抵抗センサ積層膜の電気抵抗変化を検知する手段を有する磁気抵抗センサにおいて、前記硬磁性層が少なくともCoを含む膜であり、下地膜を有することなく前記磁気抵抗センサ積層膜の両脇に配置されていることを特徴とする磁気抵抗センサ。
IPC (4件)：
H01L 43/08
, G11B 5/02
, G11B 5/39
, H01F 10/30
H01L 43/08 Z
, G11B 5/02 U
, G11B 5/39
, H01F 10/30
