特許

J-GLOBAL ID：200903010487302954

配線修正装置および方法

発明者： 鶴原 健次 ,  今瀧 智雄
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-031590
公開番号（公開出願番号）：特開2002-237520
出願日： 2001年02月07日
公開日（公表日）： 2002年08月23日
要約：

【要約】【課題】半導体素子の内部配線を修正する際に、半導体素子に悪影響を与えることなく、低抵抗の長い接続配線を効率よく高精度で形成する。【解決手段】収束されたFIB(集束イオンビーム)1を用いて、半導体素子6に設けられた内部配線17aおよび17cにそれぞれ達する開孔部を形成し、ガスノズル13から金属化合物ガスを吹き付けながらFIB1を照射することにより、各開孔部に第1プラグ65および第2プラグ66をそれぞれ形成する。次いで、ワイヤ状の金属導線56を送出する導線供給装置53を用いて、第1プラグ65から第2プラグ66へかけて金属導線56を設置する。金属導線56の両端部は、金属化合物ガスを吹き付けながらFIB1を照射して形成される金属膜により、第1プラグ65および第2プラグ66と接合される。

請求項（抜粋）：

試料ステージ上に固定された半導体素子の表面の任意の部分を、集束イオンビームまたはレーザービームを照射することによって、半導体素子をエッチングするとともに、半導体素子に前記半導体素子の表面の任意の部分に、前記集束イオンビームまたはレーザービームを照射しつつ半導体金属化合物ガスを吹き付けて金属膜を形成する素子加工部と、前記半導体素子の表面上にワイヤ状の金属導線を供給する導線供給手段と、を具備することを特徴とする配線修正装置。

IPC (5件)：

H01L 21/82 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  B23K 15/00 508 ,  B23K 26/00

FI (5件)：

B23K 15/00 508 ,  B23K 26/00 H ,  H01L 21/82 W ,  H01L 21/82 D ,  H01L 27/04 D

Fターム (11件)：

4E066BA13 ,  4E068AH03 ,  4E068DA09 ,  5F038CD05 ,  5F038CD15 ,  5F038EZ11 ,  5F038EZ20 ,  5F064FF42 ,  5F064FF44 ,  5F064FF48 ,  5F064GG10