特許

J-GLOBAL ID：200903010495428460

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 片岡 豊隆
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-090629
公開番号（公開出願番号）：特開平9-260517
出願日： 1996年03月19日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【課題】 書き込み消去電圧が低く且つ記憶保持能力が高い不揮発性半導体記憶装置を提供する。【解決手段】 トンネル用絶縁膜であるSiO2 膜33と、P型の多結晶Si膜34と、N型の多結晶Si膜35と、容量結合用絶縁膜であるSiO2 膜36と、ゲート電極であるタングステンポリサイド層41とが、Si基板31上に順次に積層されている。多結晶Si膜34、35間のPN接合による電位障壁のために、直接トンネリングが可能なほどにSiO2 膜33が薄く且つゲート電極に電圧が印加されていなくても、多結晶Si膜35中に蓄積されている電子はSiO2 膜33を通過してSi基板31へ放出されない。

請求項（抜粋）：

トンネル用絶縁膜と、第1導電型半導体膜と、第2導電型半導体膜と、容量結合用絶縁膜と、ゲート電極とが、半導体基板上に順次に積層されていることを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434