特許
J-GLOBAL ID：200903010496449798
MOSFETの電気的特性の特性化方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-244416
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058817
出願日： 1998年08月14日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 チャネル幅が微細な場合にチャネル幅の設計値に基づいてチャネル幅の実効値を精度よく求めることができ、それによってMOSFETの電気的特性を精度よく特性化すること。【解決手段】 フィールド酸化膜からゲート酸化膜に移る領域の長さに基づく誤差ΔW1と、チャネル幅の設計値Wが微小な場合に生じる「応力の影響」に基づく誤差ΔW2と、チャネル長の設計値Lが微小な場合に生じる「リソグラフィーの影響」に基づく誤差ΔW3とを種々のW及びLに対して予め求めておき、チャネル幅の実効値Weを式:We=W-ΔW1+ΔW2+ΔW3により求める。その実効値Weを用いてデバイスの電気的特性の特性化を行う。
請求項（抜粋）：
チャネルを形成するゲート酸化膜と、このゲート酸化膜の上に設けられたゲート電極と、前記ゲート酸化膜の両側に連続するフィールド酸化膜とを備えたMOSFETについて、チャネル幅の実効値(We)に基づいてMOSFETの電気的特性を特性化する方法において、前記チャネル幅の実効値(We)を下記の式に基づいて決めることを特徴とするMOSFETの電気的特性の特性化方法。We=W-ΔW1+ΔW2+ΔW3ただしWはチャネル幅の設計値であり、ΔW1、ΔW2及びΔW3は夫々下記(a)〜(c)項で特定される補正値である。(a)Wをゼロから大きくしていくと、Wが微小なときはゲート、ソース間のトランジスタ利得は実質ゼロであり、この影響によりWとWeとの間で生じる誤差をΔW1とし、ΔW1をゲート、ソース間のトランジスタ利得がゼロよりも大きい有効値になり始めるときのWの値として取り扱う。(b)Wが小さいときと大きいときとではフィールド酸化膜からゲート酸化膜へ移行する部分の断面形状が異なり、この影響によりWとWeとの間で生じる誤差をΔW2とし、ΔW2を、Wがある値を境としてそれよりも小さい領域では、Wが小さくなる程大きくなる関数として取り扱う。(c)ソース側、ドレイン側の活性領域の幅よりもチャネル幅の方が小さく、かつWがある値よりも小さいときに、平面形状で見たチャネルのソース側、ドレイン側の角部がリソグラフィーの限界によって丸みを帯び、この影響によりWとWeとの間で生じる誤差をΔW3とし、ΔW3を、Wがある値を境としてそれよりも小さい領域ではWが小さくなる程大きくなり、かつチャネルの幅方向と直交する方向のゲート電極の長さLがある値を境としてそれよりも小さい領域ではLが小さくなる程大きくなる関数として取り扱う。
IPC (2件)：
Fターム (2件)：
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