特許

J-GLOBAL ID：200903010497803102

不揮発性半導体記憶装置及び情報記録方法

発明者： 岡澤 武
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-199590
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025245
出願日： 2000年06月30日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 出力信号の変化が大きいため誤動作を起こしにくく、高精度な抵抗値発生素子が不要で、構成が単純であるため高密度に集積することが可能な不揮発性半導体記憶装置及びこの不揮発性半導体記憶装置の情報記録方法を提供する。【解決手段】 メモリセルの構成において、第1の配線21と第1の配線21に直交する第2の配線25と第1の配線と平行な第3の配線35を設け、第1の配線21と第2の配線25の間に第1のメモリ素子28を設け、第2の配線25と第3の配線35の間に第2のメモリ素子38を設け、これらのメモリ素子の構成を、2層の強磁性体薄膜の間に絶縁膜13を挟んだ構成とする。そして、第1のメモリ素子28と第2のメモリ素子38には互いに反対のデータを記録する。

請求項（抜粋）：

第1の方向に延在する第1の配線と、前記第1の配線に接続するように設けられた第1のメモリ素子と、この第1のメモリ素子に接続し前記第1の方向と異なる第2の方向に延在する第2の配線と、前記第2の配線に接続するように設けられた第2のメモリ素子と、この第2のメモリ素子に接続し前記第1の方向に延在する第3の配線と、を有し、前記第1のメモリ素子は絶縁膜及びこの絶縁膜の両側に設けられ夫々前記第1の配線及び前記第2の配線に接続された2層以上の強磁性薄膜により構成され、前記第2のメモリ素子は絶縁膜及びこの絶縁膜の両側に設けられ夫々前記第2の配線及び前記第3の配線に接続された2層以上の強磁性薄膜により構成され、この2層以上の強磁性薄膜における磁化方向の差として情報を記憶し、この磁化方向の差による磁気抵抗効果により前記メモリ素子を流れるトンネル電流の電気抵抗値が変化することを利用して情報を読み出し、前記第1のメモリ素子及び前記第2のメモリ素子は常に1対となって互いに反対の情報を記憶することを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。

IPC (5件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01F 10/08 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (5件)：

G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01F 10/08 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447

Fターム (5件)：

5E049AC05 ,  5E049BA06 ,  5E049CB01 ,  5F083FZ10 ,  5F083NA08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-344274   出願人：株式会社東芝