特許

J-GLOBAL ID：200903010500375184

超電導素子

発明者： 砂井 正之 ,  吉田 二朗 ,  水島 公一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-071471
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275758
出願日： 1992年03月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 超電導体として Y系等の酸化物超電導体を用いてSNS型接合を構成する際に、超電導電極層の表面性を改善することによって、超電導電極間のマイクロショートの発生を防止した、信頼性の高い超電導素子を提供する。【構成】 基板1上に設けられた RE-M-Cu-O系酸化物超電導体(REはPrを除く希土類元素、 MはSrやBa)からなる下部超電導層2と、この下部超電導層2上に非超電導層3を介して設けられた RE-M-Cu-O系酸化物超電導体からなる上部超電導層4との積層構造を有する超電導素子である。超電導層のうち、少なくとも下部超電導層2は、REa Mb Cuc O7-x (式中、 a、 bおよび cはそれぞれ1.05≦ a≦1.15、1.95≦ b≦2.05、2.95≦ c≦3.05、6.05≦ a+b+c≦6.15を満足する数を示し、 xは 0より大きく 1より小さい数で、酸素欠陥を表す)で組成が実質的に表される酸化物超電導体により構成されている。

請求項（抜粋）：

RE-M-Cu-O系酸化物超電導体(ただし、REはPrを除く希土類元素から選ばれた少なくとも 1種の元素を、 MはSrおよびBaから選ばれた少なくとも 1種の元素を示す)からなる下部超電導層と、この下部超電導層上に非超電導層を介して設けられた RE-M-Cu-O系酸化物超電導体からなる上部超電導層との積層構造を有する超電導素子において、前記超電導層のうち、少なくとも下部超電導層は、一般式:REa Mb Cuc O7-x(式中、 a、 bおよび cはそれぞれ1.05≦ a≦1.15、1.95≦ b≦2.05、2.95≦ c≦3.05、6.05≦ a+b+c≦6.15を満足する数を示し、 xは 0より大きく 1より小さい数で、酸素欠陥を表す)で組成が実質的に表される酸化物超電導体により構成されていることを特徴とする超電導素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平2-078282
  
• 特開平1-099269
  
• 特開平1-166412