特許
J-GLOBAL ID：200903010502901118
半導体記憶装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-204914
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029577
出願日： 1991年07月19日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 メモリセルの高集積化に伴ってキャパシタの占有面積が減少しても、情報記憶に十分な電荷容量を得ることができる半導体記憶装置を提供する。【構成】 メモリセルは、1ビット分の情報を読み書きする1個のトランジスタとこのトランジスタの上部に互いに並列接続されて積み重ねられた3層のキャパシタとを備える。キャパシタの並列増設による容量増加によって、情報記憶に必要な電荷容量を確保する。
請求項（抜粋）：
トランジスタ及びキャパシタを電気的に接続してなる複数のメモリセルを半導体基板上に備えた半導体記憶装置において、前記各メモリセルは、1ビット分の情報を読み書きする1個のトランジスタと、該トランジスタに積層形成され互いに並列接続された複数のキャパシタとを有することを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
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