特許
J-GLOBAL ID：200903010505941234
半導体レーザおよびそれを用いた光モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-342861
公開番号（公開出願番号）：特開2003-142783
出願日： 2001年11月08日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】GaAs基板上に厚さ平均2%未満の格子歪の活性層を有し、1.3μm帯以上の長波長帯で使用可能な半導体レーザおよびそれを用いたモジュールを提供すること。【解決手段】タイプII型ヘテロ接合を形成する第1の半導体層5と第2の半導体層4を有し、第1の半導体層5の伝導帯エネルギー下端が該第2の半導体層4の伝導帯エネルギー下端よりも大きく、上記タイプII型ヘテロ接合の両側に、障壁層となる第3の半導体層6を有する半導体レーザ素子において、第2の半導体層6を第1の半導体層5の両側に配置し、第1の半導体層5の厚さを、第2の半導体層4を井戸層とすることによって伝導帯側に形成した量子井戸の電子の波動関数53が結合する程度の厚さとする。
請求項（抜粋）：
第1の半導体層と該第1の半導体層の上下に該第1の半導体層に接して配置される第2の半導体層とからなる活性層と、該活性層の上下に該活性層に接して配置される第3の半導体層とを半導体基板上に有し、該第1の半導体層は、タイプII型のヘテロ接合が形成されるように、伝導帯エネルギー下端が該第2の半導体層の伝導帯エネルギー下端よりも大きく、かつ、価電子帯エネルギー上端が該第2の半導体層の価電子帯エネルギー上端よりも大きく、該第3の半導体層は、伝導帯エネルギー下端が該第2の半導体層よりも大きく、かつ、価電子帯エネルギーの上端が該第2の半導体層よりも小さく、該第1の半導体層の厚さは、該第2の半導体層を井戸層とすることによって伝導帯側に形成された量子井戸の電子の波動関数が結合することを可能にする厚さであり、該第1の半導体層は、該第2の半導体層よりも薄いことを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (15件)：
5F073AA13
, 5F073AA51
, 5F073AA73
, 5F073AA89
, 5F073AB17
, 5F073AB21
, 5F073BA01
, 5F073CA07
, 5F073CA17
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA06
, 5F073DA31
, 5F073DA32
, 5F073EA29
