特許

J-GLOBAL ID：200903010508677872

半導体用アルミニウム基板

発明者： 島尻 芳文
出願人/特許権者： 昭和アルミニウム株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 孝夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-302482
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114668
出願日： 1991年10月22日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】 半導体用、特にスルホールタイプのピングリッドアレー用のアルミニウム基板において、放熱性に優れたアルミニウムを用いる場合の陽極酸化皮膜それ自体にも良好な絶縁性を付与する。【構成】 予め穴明けされた基板表面及び穴部に絶縁皮膜を、そしてその絶縁皮膜の表面に銅皮膜を施してなるピングリッドアレー用基板において、前記予め穴明けされた基板が、その表面及び穴部に陽極酸化皮膜を施したアルミニウム板からなり、その陽極酸化皮膜のバリア層厚さを500Å以上とする。

請求項（抜粋）：

予め穴明けされた基板表面及び穴部に絶縁皮膜を、そしてその絶縁皮膜の表面に銅皮膜を施してなるピングリッドアレー用基板において、前記予め穴明けされた基板が、その表面及び穴部に陽極酸化皮膜を施したアルミニウム板からなり、その陽極酸化皮膜のバリア層厚さが500Å以上とされたことを特徴とする半導体用アルミニウム基板。

IPC (3件)：

H01L 23/14 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/05

FI (2件)：

H01L 23/14 M ,  H01L 23/12 P