特許

J-GLOBAL ID：200903010512686703

酸化ランタン化合物の製造方法

発明者： 高島 章 ,  村岡 浩一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (4件)： 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-284108
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111275
出願日： 2007年10月31日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：

【課題】電気的な絶縁性能が良好で、目的とする誘電率の酸化ランタン化合物を高い歩留まりで安定して得るための製造方法を提供する。【解決手段】酸化ランタン化合物を形成する雰囲気中のH2O分子、CO分子、及びCO2分子を、ランタン原子1個に対してそれぞれ1/2個,1/5個,及び1/10個以下とし、次いで、前記基板に対して、ランタンと、アルミニウム、チタン、ジルコニウム及びハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種と、ランタン原子1個に対して20個以上の酸素分子を含むようにして酸素とを同時に供給し、前記基板上に、前記アルミニウム、前記チタン、前記ジルコニウム及び前記ハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む前記酸化ランタン化合物を形成する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に酸化ランタン化合物を製造する方法であって、 前記酸化ランタン化合物を形成する雰囲気中のH2O分子、CO分子、及びCO2分子を、ランタン原子1個に対してそれぞれ1/2個,1/5個,及び1/10個以下とする工程と、 前記基板に対して、ランタンと、アルミニウム、チタン、ジルコニウム及びハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種と、ランタン原子1個に対して20個以上の酸素分子を含むようにして酸素とを同時に供給し、前記基板上に、前記アルミニウム、前記チタン、前記ジルコニウム及び前記ハフニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種を含む前記酸化ランタン化合物を形成する工程と、 を具えることを特徴とする、酸化ランタン化合物の製造方法。

IPC (8件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  C23C 14/08 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (6件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/31 B ,  C23C14/08 J ,  H01L29/78 301G ,  H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (43件)：

4K029AA06 ,  4K029BA43 ,  4K029BD01 ,  4K029CA02 ,  4K029DB03 ,  4K029DB14 ,  4K029DB18 ,  4K029DB21 ,  4K029EA08 ,  4K029FA01 ,  5F045AA15 ,  5F045AA18 ,  5F045AB31 ,  5F045AC11 ,  5F045EE06 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF17 ,  5F058BF19 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ01 ,  5F083EP18 ,  5F083EP22 ,  5F083EP44 ,  5F083EP45 ,  5F083EP56 ,  5F083EP57 ,  5F083GA27 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA40 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F101BA44 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BB08 ,  5F101BD02 ,  5F101BH01 ,  5F140BA01 ,  5F140BD13 ,  5F140BE10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• USP 6,770,923