特許
J-GLOBAL ID：200903010514125601
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-203406
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054643
出願日： 1997年07月29日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 高周波特性が損なわれず、高い気密性で封止された半導体装置を実現する。【解決手段】 半導体集積回路基板2では、一面にトランジスタなどの能動素子が形成され、他面の所定の位置に接地導体3、高周波電極パッド4、バイアス供給電極パッド5が形成されている。一方、シリコン基板1の一面に凹部6が形成されている。半導体集積回路基板2の能動素子側の面と、シリコン基板1の凹部6側の面とが、凹部6に能動素子が納まるように貼り合わせられる。凹部6の内部に、半導体集積回路基板2とシリコン基板1とを貼り合わせた時の雰囲気が封止され、能動素子が高い気密性で封止される。気密封止するために樹脂を用いる必要がなく、樹脂の誘電体損失や寄生容量の増大による高周波特性の劣化がない。
請求項（抜粋）：
一面に能動素子が形成された半導体素子と、該半導体素子が実装される基板とを有する半導体装置において、前記基板の一面に凹部が形成され、前記基板の凹部側の面と、前記半導体素子の能動素子側の面とが、前記凹部に前記能動素子が納まるように貼り合わされていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 23/04
, H01L 21/48
, H01L 23/06
, H01L 23/12 301
H01L 23/04 F
, H01L 21/48
, H01L 23/06 Z
, H01L 23/12 301 Z
