特許

J-GLOBAL ID：200903010514186279

半導体装置

発明者： 若山 利明 ,  北山 智
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-300355
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153936
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 新規な信号電荷の読み出しができるようにした半導体装置を提供する。【構成】 電荷を供給する電荷供給部1Nと、この電荷供給部1Nより電荷移送領域2Nを介して電荷の供給を受ける被電荷供給領域3Nと、この電荷と反対極性の信号電荷を蓄積し、この信号電荷の量に応じて、この電荷移送領域2Nのポテンシャルを変調する信号電荷蓄積領域2Pとを有し、この信号電荷蓄積領域2Pに蓄積された信号電荷に応じた量の電荷をこの電荷供給部1Nよりこの被電荷供給領域3Nに供給するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

電荷を供給する電荷供給部と、該電荷供給部より電荷移送領域を介して電荷の供給を受ける被電荷供給領域と、上記電荷と反対極性の信号電荷を蓄積し、該信号電荷の量に応じて上記電荷移送領域のポテンシャルを変調する信号電荷蓄積領域とを有し、該信号電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷に応じた量の電荷を上記電荷供給部より上記被電荷供給領域に供給するようにしたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/762 ,  H01L 21/339 ,  H01L 27/148

FI (2件)：

H01L 29/76 301 A ,  H01L 27/14 B