特許
J-GLOBAL ID：200903010514437735
窒化物系化合物半導体素子及びその作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
大澤 斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-027985
公開番号（公開出願番号）：特開2003-229623
出願日： 2002年02月05日
公開日（公表日）： 2003年08月15日
要約：
【要約】【課題】 高密度欠陥領域を周期的に有するという半導体基板の特質を利用した窒化物系化合物半導体素子及びその作製方法を提供する。【解決手段】 本GaN系半導体レーザ素子10は、n型GaN基板12上に、n型GaN層14、n型AlGaNクラッド層16、活性層20、Mgドープp型GaN光導波層22、p型AlGaNクラッド層24、及びp型GaNコンタクト層26の積層構造を備えている。GaN基板の高密度欠陥領域のコア部12aには、直径50μmの貫通孔32が設けられ、高抵抗層34、例えばSiO2層又はSiNX 層で埋め込まれている。n側電極30は、貫通孔32の間に位置するように設けてあり、また、p側電極28は、n側電極30の丁度真上に設けてある。高抵抗層34が電流ブロック層となって、電流注入領域を高抵抗層34で挟まれた領域に制限する。また、GaN系半導体レーザ素子10の活性領域は、活性層20のうち高抵抗層34の延長方向線で挟まれた領域である。
請求項（抜粋）：
結晶欠陥密度が周囲より高い領域として、周期的な基板面上配列で基板を貫通している高密度欠陥領域を有する半導体結晶基板上に、窒化物系化合物半導体の積層構造を備える窒化物系化合物半導体素子であって、基板が、高密度欠陥領域内で欠陥密度が最も高いコア領域を貫通する、又は未貫通するように基板に設けられた孔と、高電気抵抗物質で孔を埋め込んでなる高抵抗部とを備え、窒化物系化合物半導体素子の注入電流領域は、基板に設けられた高抵抗部により狭窄されていることを特徴とする窒化物系化合物半導体素子。
IPC (4件)：
H01S 5/02
, H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 5/323 610
H01S 5/02
, H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 5/323 610
5F041CA40
, 5F041CA65
, 5F041CA71
, 5F041CA74
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CB02
, 5F041CB11
, 5F045AA04
, 5F045AA05
, 5F045AB14
, 5F045CA12
, 5F045DA52
, 5F045DC68
, 5F073AA04
, 5F073AA45
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073DA05
, 5F073DA14
, 5F073DA21
